নতুন শক্তি IGBT মডিউল এর তাপ সমাধান

নতুন শক্তি রূপান্তর এবং ট্রান্সমিশনের মূল ডিভাইস হিসাবে, IGBT মডিউলের পাওয়ার রেঞ্জ শত শত ওয়াট থেকে কয়েক মেগা ওয়াট পর্যন্ত, যা বৈদ্যুতিক ইলেকট্রনিক ডিভাইসের "CPU"। এটি সাধারণ ড্রাইভ এবং পুনর্নবীকরণযোগ্য শক্তির প্রয়োগ, যেমন শিল্প অটোমেশন সরঞ্জাম, গৃহস্থালী যন্ত্রপাতি, রেল ট্রানজিট এবং নতুন শক্তি ক্ষেত্র।

 তাপ IGBT মডিউলে ডুবে যায়

   IGBT মডিউলের কারেন্ট যত বড় হবে, সুইচিং ফ্রিকোয়েন্সি তত বেশি হবে এবং মডিউলের তাপ শক্তি খরচ তত বেশি হবে। ফলস্বরূপ, IGBT মডিউলের ক্ষতি হবে বড় এবং ডিভাইসের তাপমাত্রা খুব বেশি হবে।

তাপমাত্রা খুব বেশি হলে, মডিউলের কার্যকারিতা হ্রাস পাবে এবং তারপরে পুরো কাজের অগ্রগতি প্রভাবিত হবে।

বিশেষ করে যে সমস্ত উপাদানগুলিকে ক্রমাগত কাজ করতে হবে, আইজিবিটি মডিউলটি গ্যারান্টি করার জন্য একটি ভাল তাপীয় কুলিং সিস্টেমের প্রয়োজনের উপর বেশি নির্ভরশীল।

IGBT মডিউলের দুর্বল তাপ অপচয় সরাসরি ক্ষতির কারণ হবে এবং পুরো মেশিনের অপারেশনকে প্রভাবিত করবে।

সাধারণভাবে, সিলিকন ডিভাইসের উপর ভিত্তি করে পাওয়ার ইলেকট্রনিক ডিভাইসগুলিকে অবশ্যই 125 ডিগ্রি সেলসিয়াসের নিচে কাজ করতে হবে এবং আইজিবিটিগুলিকে অবশ্যই 150 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেডের নিচে কাজ করতে হবে, যা ভবিষ্যতের সিলিকন কার্বাইড ডিভাইসের জন্য 200 ডিগ্রি সেলসিয়াসে বাড়ানো যেতে পারে।

পাওয়ার ইলেকট্রনিক্সের তাপ ব্যবস্থাপনার জন্য প্রায়শই তাপ সিঙ্কের সাথে আইজিবিটি সংযোগ করার জন্য তাপ পরিবাহী ইন্টারফেস উপকরণ ব্যবহার করা প্রয়োজন এবং ইন্টারফেস সামগ্রিক তাপীয় প্রতিবন্ধকতা এবং দীর্ঘমেয়াদী কর্মক্ষমতাতে গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে।

আইজিবিটি মডিউলটি প্রধানত একটি চিপ, একটি সরাসরি তামা-পরিহিত সিরামিক স্তর এবং একটি সাবস্ট্রেট দ্বারা গঠিত। ইন্টারলেয়ারটি সোল্ডার দ্বারা ঝালাই করা হয় এবং সাবস্ট্রেটটি সাধারণত তাপীয় গ্রীসের মাধ্যমে রেডিয়েটারের সাথে সংযুক্ত থাকে। এটির কম তাপ প্রতিরোধের, উচ্চ নির্ভরযোগ্যতা রয়েছে এবং দীর্ঘ সময়ের জন্য উচ্চ তাপমাত্রার সংস্পর্শে এলে বাষ্পীভূত হবে না এবং শক্ত হবে না। এটি নতুন শক্তির গাড়ি আইজিবিটি কুলিং এর জন্য একটি ভাল পছন্দ।