ট্রানজিস্টর প্রযুক্তি উদ্ভাবন: নতুন প্রযুক্তি শীতল করার ক্ষমতা দু'বারেরও বেশি বাড়িয়ে তুলতে পারে!

সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসগুলির ক্রমবর্ধমান মিনিয়েচারাইজেশন সহ, বিদ্যুতের ঘনত্ব এবং তাপ উত্পাদনের মতো বিষয়গুলি উদ্ভূত হয়েছে, যা এই ডিভাইসগুলির কার্যকারিতা, নির্ভরযোগ্যতা এবং জীবনকালকে প্রভাবিত করতে পারে। ডায়মন্ডে গ্যালিয়াম নাইট্রাইড (জিএএন) পরবর্তী প্রজন্মের অর্ধপরিবাহী উপাদান হিসাবে প্রতিশ্রুতিবদ্ধ সম্ভাবনাগুলি প্রদর্শন করে, কারণ উভয় উপকরণে প্রশস্ত ব্যান্ডগ্যাপ রয়েছে যা হীরার উচ্চ পরিবাহিতা এবং উচ্চ তাপীয় পরিবাহিতা সক্ষম করে, এগুলিকে দুর্দান্ত তাপ অপচয় হ্রাস স্তর হিসাবে স্থাপন করে।
খবরে বলা হয়েছে, ওসাকা মেট্রোপলিটন বিশ্ববিদ্যালয়ের একটি গবেষণা দল গ্যালিয়াম নাইট্রাইড (জিএএন) ট্রানজিস্টর তৈরির জন্য একটি স্তর হিসাবে পৃথিবীর সর্বাধিক তাপমাত্রায় পরিবাহী প্রাকৃতিক উপাদান হীরা ব্যবহার করেছে, যা traditional তিহ্যবাহী ট্রানজিস্টরগুলির তাপ অপচয় হ্রাস ক্ষমতা থেকে দ্বিগুণেরও বেশি রয়েছে। সর্বশেষ গবেষণায়, ওসাকা পাবলিক বিশ্ববিদ্যালয়ের বিজ্ঞানীরা হীরাটিকে সাবস্ট্রেট হিসাবে ব্যবহার করে জিএন উচ্চ ইলেক্ট্রন গতিশীলতা ট্রানজিস্টর সফলভাবে তৈরি করেছেন। সিলিকন কার্বাইড (এসআইসি) সাবস্ট্রেটে উত্পাদিত একই আকারের ট্রানজিস্টরের তুলনায় এই নতুন প্রযুক্তির তাপ অপচয় কর্মক্ষমতা দ্বিগুণেরও বেশি। ইন্টারফেসের তাপ প্রতিরোধকে উল্লেখযোগ্যভাবে হ্রাস করে এবং তাপ অপচয় হ্রাস কর্মক্ষমতা উন্নত করে।